IRLL2705 smd
Symbol Micros:
TIRLL2705
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL2705TRPBF; IRLL2705PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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