IRLL2705 smd

Symbol Micros: TIRLL2705
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL2705TRPBF; IRLL2705PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL2705 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4882 0,2704 0,2134 0,2012 0,1948
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL2705TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
64 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4882 0,2704 0,2134 0,2012 0,1948
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL2705TRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
27950 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3335
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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