IRLL3303

Symbol Micros: TIRLL3303
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLL3303 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,0229 2,4897 2,2877 2,1820 2,1585
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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