IRLML0030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML0030tr
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23t/r
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
40995 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2527 0,1284 0,0779 0,0617 0,0562
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2592
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
39700 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1383
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23t/r
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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