IRLML0060TRPBF

Symbol Micros: TIRLML0060
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 116 mOhm; 2,7A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0060TR; IRLML0060TRPBF; IRLML0060PBF; SP001568948; IRLML0060;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0060TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
4060 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2445 0,1355 0,0902 0,0752 0,0700
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD