IRLML0060 SOT23L HUASHUO SEMICONDUCTOR
Symbol Micros:
TIRLML0060 HUA
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 3A; 1,5W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HUASHUO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HUASHUO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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