IRLML0100TRPBF SOT23(T/R) FUXINSEMI

Symbol Micros: TIRLML0100 FUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: FUXINSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole