IRLML0100TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML0100 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1559 0,0623 0,0363 0,0302 0,0283
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1000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-13
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD