IRLML0100TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML0100 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1492 0,0708 0,0399 0,0303 0,0271
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML0100TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1492 0,0597 0,0346 0,0289 0,0271
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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