IRLML2030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2030
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 154 mOhm; 2,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2030TRPBF; IRLML2030PBF; IRLML2030;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD