IRLML2030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2030
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 154mOhm; 2,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML2030TRPBF; IRLML2030PBF; IRLML2030;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2030TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2585 0,1306 0,0792 0,0628 0,0572
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2030TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1030
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD