IRLML2030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2030
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Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 154 mOhm; 2,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2030TRPBF; IRLML2030PBF; IRLML2030;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2030TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
366000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0417
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 154mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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