IRLML2060

Symbol Micros: TIRLML2060
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 640 mOhm; 1,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2060TR; IRLML2060TRPBF; IRLML2060PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 640mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2060TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
19910 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2896 0,1538 0,1192 0,1101 0,1054
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 640mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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