IRLML2402

Symbol Micros: TIRLML2402
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 350 mOhm; 1,2A; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; LTB: 31. JULI 2024; Äquivalent: IRLML2402TRPBF; IRLML2402PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2402TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
6181 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2976 0,1646 0,1093 0,0914 0,0850
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2402TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
28100 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0905
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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