IRLML2502TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2502 VBS

Gehäuse: SOT23-3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF-VB RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2115	0,1072	0,0649	0,0515	0,0470

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD