IRLML6302

Symbol Micros: TIRLML6302
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Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 900 mOhm; 780mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; LTB: 31. JULI 2024; Äquivalent: IRLML6302PBF; IRLML6302TRPBF; IRLML6302GTRPBF; SP001574060;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 780mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 780mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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