IRLML6302 SOT23
Symbol Micros:
TIRLML6302 c
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 900mOhm; 780mA; 540mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 780mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 780mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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