IRLML6344 SOT23

Symbol Micros: TIRLML6344 c

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3 W; -55°C~150°C; Äquivalent: YJL3400A-F2-0000HF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	29mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	4,5V

Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: IRLML6344 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2280 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2527	0,1347	0,1043	0,0965	0,0923

Widerstand im offenen Kanal:	29mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	4,5V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD