IRLML6344TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML6344 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML6344TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1610 0,0645 0,0375 0,0312 0,0293
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Geplantes Datum:
2025-10-31
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD