BML6401 BORN

Symbol Micros: TIRLML6401 BORN

Gehäuse: SOT23

Transistor P-Kanal MOSFET; 12V; 8V; 85mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	85mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	BORN
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-07-15

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	85mOhm
Max. Drainstrom:	4,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,3W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	BORN
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD