BML6401 BORN

Symbol Micros: TIRLML6401 BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Kanal MOSFET; 12V; 8V; 85mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD