IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401 SLK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 125 mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: SLKOR Hersteller-Teilenummer: IRLMR6401TRPBF RoHS A12T.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2162 0,1183 0,0775 0,0669 0,0617
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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