IRLML6402 HUA
Symbol Micros:
TIRLML6402 HUA
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31 W; -55°C~150°C; Ersatz für: IRLML6402, SKML6402, IRLML6402TRPBF
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HUASHUO |
| Max. Drain-Source Spannung: | -20V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HUASHUO |
| Max. Drain-Source Spannung: | -20V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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