IRLML6402

Symbol Micros: TIRLML6402 KUU
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF; KIRLML6402TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: KIRLML6402TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
523 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2477+
Nettopreis (EUR) 0,1975 0,0936 0,0526 0,0399 0,0359
Standard-Verpackung:
523
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: KIRLML6402TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2477 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2477+
Nettopreis (EUR) 0,1975 0,0936 0,0526 0,0399 0,0359
Standard-Verpackung:
2477
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD