IRLML6402 VBSEMI

Symbol Micros: TIRLML6402 VBS

Gehäuse: SOT23

Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz für: IRLML6402, SKML6402, IRLML6402TRPBF

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD