IRLML6402 VBS

Symbol Micros: TIRLML6402 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz für: IRLML6402, SKML6402, IRLML6402TRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1500 0,0712 0,0400 0,0305 0,0273
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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