IRLR014N

Symbol Micros: TIRLR014n
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 7,7A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR014NTR;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLR014 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,6052 0,3823 0,2908 0,2768 0,2627
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Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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