IRLR110 smd
Symbol Micros:
TIRLR110
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR110TRPBF; IRLR110PBF; IRLR110TRLPBF; IRLR110ATF; IRLR110ATM; IRLR110PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 760mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRLR110 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
65 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7049 | 0,4462 | 0,3394 | 0,3157 | 0,3062 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 760mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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