IRLR2705TRPBF
Symbol Micros:
TIRLR2705
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 28A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR2705TRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
1595 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7518 | 0,4769 | 0,3759 | 0,3430 | 0,3266 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR2705TRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3266 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR2705TRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3266 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 28A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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