IRLR2905Z

Symbol Micros: TIRLR2905z

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 22,5 mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905ZPBF; IRLR2905ZTRPBF; IRLR2905ZTRLPBF; IRLR2905ZPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Max. Drainstrom:	60A
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

4124 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1317	0,7910	0,6720	0,6160	0,5950

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

56000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5950

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

6950 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5950

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5950

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Max. Drainstrom:	60A
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6697	0,4200	0,3500	0,3103	0,2917