IRLR2905Z

Symbol Micros: TIRLR2905z

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 22,5 mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905ZPBF; IRLR2905ZTRPBF; IRLR2905ZTRLPBF; IRLR2905ZPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

4220 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1416	0,7980	0,6779	0,6214	0,6002

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3550 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6002

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR2905ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6002

Widerstand im offenen Kanal:	22,5mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6756	0,4237	0,3531	0,3131	0,2942