IRLR3114Z

Symbol Micros: TIRLR3114z

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 6,5 mOhm; 130A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3114ZPBF; IRLR3114ZTRPBF; IRLR3114ZPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	130A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3114ZTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

298 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,0320	0,6841	0,5642	0,5078	0,4913

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3114ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3050 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4913

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3114ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4913

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	130A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7358	0,4655	0,3667	0,3338	0,3197