IRLR3705Z
Symbol Micros:
TIRLR3705z
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3705ZPBF; IRLR3705ZTRPBF; IRLR3705ZPBF-GURT; IRLR3705ZTRPBF-BL;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Max. Drainstrom: | 89A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3705ZTR RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
491 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4910 | 1,1830 | 1,0057 | 0,9240 | 0,8773 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Max. Drainstrom: | 89A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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