IRLR3717TRPBF CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLR3717 CNB
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR3717PBF; IRLR3717TRLPBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLR3717TRPBF-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7916 0,4962 0,4131 0,3670 0,3439
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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