IRLR3717
Symbol Micros:
TIRLR3717 VBS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 5,5 mOhm; 120A; 89W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; VBE1202;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 89W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 89W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VBsemi |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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