IRLR3802

Symbol Micros: TIRLR3802
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 30mOhm; 84A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3802PBF; IRLR3802TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR3802 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9073 0,6676 0,5336 0,4584 0,4325
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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