IRLR3915
Symbol Micros:
TIRLR3915
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 17mOhm; 61A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3915TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 17mOhm |
| Max. Drainstrom: | 61A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLR3915 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7247 | 0,4595 | 0,3635 | 0,3315 | 0,3155 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3915TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
3250 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5108 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR3915TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
58000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3155 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 17mOhm |
| Max. Drainstrom: | 61A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole