IRLR3915

Symbol Micros: TIRLR3915

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 17mOhm; 61A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3915TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR3915 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7446	0,4721	0,3735	0,3406	0,3241

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD