IRLR3915

Symbol Micros: TIRLR3915

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 17mOhm; 61A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR3915TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR3915 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8209	0,5207	0,4105	0,3729	0,3565

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR3915TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3950 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4174

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD