IRLR6225PBF TO-252-3
Symbol Micros:
TIRLR6225
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 5,2 mOhm; 100A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR6225TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLR6225 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
375 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7513 | 0,4740 | 0,3721 | 0,3389 | 0,3271 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR6225TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3271 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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