IRLR7821

Symbol Micros: TIRLR7821

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 65A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR7821PBF; IRLR7821TRPBF; IRLR7821TRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	65A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR7821TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9886	0,6567	0,5437	0,4920	0,4708

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	65A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD