IRLR8726 TO252 RoHS

Symbol Micros: TIRLR8726 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,5 mOhm; 90A; 181W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP0015528
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: IRLR8726 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2931 0,1563 0,1216 0,1101 0,1064
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMA