IRLR8729-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLR8729 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 49W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 49W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLR8729-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2727 0,1487 0,0976 0,0843 0,0777
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 49W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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