IRLR8729-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLR8729 CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 49W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 49W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLR8729-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2782 0,1517 0,0996 0,0860 0,0793
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 49W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD