IRLR8729TR JSMICRO

Symbol Micros: TIRLR8729 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRLR8729TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,4538 0,2750 0,2113 0,1875 0,1811
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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