IRLR8743TRPBF

Symbol Micros: TIRLR8743
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,9 mOhm; 160A; 135 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8743TRLPBF; IRLR8743TRPBF; IRLR8743PBF; IRLR8743PBF-GURT; IRLR8743;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR8743TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4807 1,0344 0,8785 0,8029 0,7793
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLR8743TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4807 1,0344 0,8785 0,8029 0,7793
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8743TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7793
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8743TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7793
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8743TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7793
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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