G80N03K

Symbol Micros: TIRLR8743 GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor MOSFET; TO-252; N-Kanal; NO ESD; 30V; 90A; 53,4W; 1.5V; 7mOhm; AOD4132; IRLR8743PbF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 53,4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 53,4W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD