IRLS3034
Symbol Micros:
TIRLS3034
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 195A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLS3034TRLPBF; IRLS3034PBF; IRLS3034PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 195A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLS3034TRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,9163 | 2,5088 | 2,2698 | 2,1514 | 2,0831 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLS3034TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
820 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0831 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 195A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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