IRLS3036TRLPBF

Symbol Micros: TIRLS3036

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 2,8 mOhm; 270A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLS3036PBF; IRLS3036TRLPBF; IRLS3036;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,8mOhm
Max. Drainstrom:	270A
Maximaler Leistungsverlust:	380W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

56 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,0920	1,6618	1,5010	1,4207	1,3947

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3947

Widerstand im offenen Kanal:	2,8mOhm
Max. Drainstrom:	270A
Maximaler Leistungsverlust:	380W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD