IRLS3036TRLPBF

Symbol Micros: TIRLS3036
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 2,8 mOhm; 270A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLS3036PBF; IRLS3036TRLPBF; IRLS3036;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
Nettopreis (EUR) 2,5118 2,1642 1,9592 1,8418 1,7935
Standard-Verpackung:
120
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLS3036TRL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
Nettopreis (EUR) 2,5118 2,1642 1,9592 1,8418 1,7935
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD