IRLS3036-7P
Symbol Micros:
TIRLS3036-7p
Gehäuse: D2PAK/7
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 2,2 mOhm; 300A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLS3036-7PPBF; IRLS3036-7PP; IRLS3036TRL7PP; IRLS3036-7PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 300A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
| Gehäuse: | D2PAK/7 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 300A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
| Gehäuse: | D2PAK/7 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole