IRLS4030TRL7PP INFINEON

Symbol Micros: TIRLS4030-7pp
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Gehäuse: D2PAK
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Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 16V; 3,9mOhm; 190A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLS4030TRL7PP; IRLS4030-7PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLS4030TRL7PP Gehäuse: D2PAK  
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1020 stk.
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Nettopreis (EUR) 2,3017
Standard-Verpackung:
10
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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