IRLU024N

Symbol Micros: TIRLU024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLU024NPBF; IRLU 024 NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU024N RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
465 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,6255 0,3970 0,3023 0,2793 0,2723
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLU024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
5025 stk.
Anzahl Stück 75+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3163
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLU024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5485
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLU024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
95270 stk.
Anzahl Stück 375+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3381
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLU024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
7130 stk.
Anzahl Stück 15+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4013
Standard-Verpackung:
15
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT