IRLU024N

Symbol Micros: TIRLU024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLU024NPBF; IRLU 024 NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU024N RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
465 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,6375 0,4046 0,3082 0,2847 0,2776
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLU024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
2850 stk.
Anzahl Stück 75+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2776
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLU024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
8025 stk.
Anzahl Stück 15+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2814
Standard-Verpackung:
15
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLU024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
59820 stk.
Anzahl Stück 525+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2776
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT