IRLU024N

Symbol Micros: TIRLU024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLU024NPBF; IRLU 024 NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU024N RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,6165 0,3913 0,2980 0,2753 0,2685
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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