IRLU 120 N PBF TO251

Symbol Micros: TIRLU120n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 265 mOhm; 10A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLU120NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 265mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU120N RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9152 0,6046 0,4988 0,4564 0,4353
Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 265mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT