IRLU 3110 Z PBF TO251

Symbol Micros: TIRLU3110z
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 16mOhm; 63A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLU3110ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 63A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU3110Z RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0021 1,5386 1,3672 1,2884 1,2513
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 63A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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