IRLU 3410 PBF TO251

Symbol Micros: TIRLU3410
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 155 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLU3410PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU3410 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3476 0,9419 0,7995 0,7379 0,7094
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Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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