IRLZ24PBF

Symbol Micros: TIRLZ24

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 140 mOhm; 17A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLZ24PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9157	0,5743	0,4496	0,4237	0,3978

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT