IRLZ24N

Symbol Micros: TIRLZ24n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 105 mOhm; 18A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ24NPBF; IRLZ 24 NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLZ24N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
170 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 0,8898 0,5885 0,4849 0,4519 0,4237
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Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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