IRLZ34N
Symbol Micros:
TIRLZ34
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ34NPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRLZ34N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9185 | 0,5761 | 0,4510 | 0,4250 | 0,3990 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
29454 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3990 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLZ34NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6790 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3990 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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