IRLZ44PBF

Symbol Micros: TIRLZ44
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: CDZ44; IRLZ44PBF; IRLZ44;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLZ44PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5493 1,1835 0,9785 0,8573 0,8154
Standard-Verpackung:
50/1000
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT