IRLZ44NPBF

Symbol Micros: TIRLZ44n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLZ44N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8316 0,5268 0,4158 0,3756 0,3614
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8316 0,5268 0,4158 0,3756 0,3614
Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
61925 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3614
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3810 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3784
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
39990 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3614
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-11-30
Anzahl Stück: 2700
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT