IRLZ44NPBF

Symbol Micros: TIRLZ44n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLZ44N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
4509 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9122 0,5775 0,4561 0,4148 0,3965
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
225912 stk.
Anzahl Stück 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3965
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8480 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4939
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT